Infineon IRFH5006TR2PBF
$ 1.852
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFH5006TR2PBF | 0 | 400 | Bulk | 10h | |||||||
| Farnell | IRFH5006TR2PBF | 0 | 1 | Cut Tape | 3h | |||||||
| Microchip USA | IRFH5006TR2PBF | 346 | 150 | Tray | 1d | |||||||
| Win Source | WS-IRFH5006TR2PBF | 9.570 | 30 | 18h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFH5006TR2PBF | 12.742 | 7 | 1d |
Fichas técnicas e documentos
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|---|---|---|---|
 SnapEDA | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
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InfineonIRFH7085TRPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm package, PG-TDSON-8, RoHS
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60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
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MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN / N-Channel 60 V 16A (Ta), 89A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Descrições
Descrições de Infineon IRFH5006TR2PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin QFN T/R
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 60V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET,N CH,60V,21A,PQFN56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):3.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:QFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:250W; Voltage Vgs Max:20V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance4.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.175 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Rds On Max4.1 mΩ
Recovery Time42 ns
Rise Time13 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time9.6 ns
Dimensions
Height990.6 µm
Length6.1468 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade