Infineon IRFB4110PBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 3.7 Milliohms; ID 180A; TO-220AB; PD 370W
$ 1.1
Production
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DistributorSKUMinPkg
Future Electronics
2
IRFB4110PBF1450Tube
Arrow ElectronicsIRFB4110PBF1.6251
RutronikTMOSP121152.20050
19h
NewarkIRFB4110PBF01
Rochester ElectronicsIRFB4110PBF0
12h

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Newark

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IHS

iiiC

SOS electronic

RS (Formerly Allied Electronics)

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Peças alternativas
InfineonIRFB4110PBF
InfineonIRFB4110GPBF
Price @ 1000
$ 1.1
$ 2.07
Stock
1,156,978
138,325
Authorized Distributors
6
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
120 A
120 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
4.5 mΩ
4.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
370 W
370 W
Input Capacitance
9.62 nF
9.62 nF

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-04-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

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Detalhes

Descrições

Descrições de Infineon IRFB4110PBF fornecidas pelos seus distribuidores.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 3.7 Milliohms;ID 180A;TO-220AB;PD 370W
RS (Formerly Allied Electronics)
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 210 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 0.0045 ohm, TO-220AB, Through Hole
Avnet
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Verical
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 370 W
Distrelec
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Semicontronic
N Channel Mosfet, 100V, 180A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:180A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFB4110PBF.
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Imagens

Infineon
Augswan
element14 APAC
TME
DKO Electronshik
Farnell
RS
iiiC
RS (Formerly Allied Electronics)
South Microelectronics
Distrelec
International Rectifier
Jameco
LCSC

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IRFB 4110 PBF
  • IRFB 4110PBF
  • IRFB-4110PBF
  • IRFB4110
  • IRFB4110 PBF
  • IRFB4110PBF.
  • SP001570598