Infineon IRF6724MTRPBF
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1
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Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
27 A
27 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
2.5 mΩ
2.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.8 W
-
Input Capacitance
4.404 nF
4.404 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-05-15
LTD Date2023-11-15
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTL150N3LLH6
MOSFET, N-CH, 30V, 150A, 150DEG C, 80W; Available until stocks are exhausted
Descrições
Descrições de Infineon IRF6724MTRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET / Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Single N-Channel 30 V 3.5 mOhm 54 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 27 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
N Channel, MOSFET, 30V, 27A, DirectFET MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:27A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.404 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.8 W
Manufacturer Package IdentifierMG-WDSON-5
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.5 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.8 W
Rds On Max2.5 mΩ
Rise Time19 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height700 µm
Length6.35 mm
Width5.05 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade