Infineon IRF6725MTRPBF
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Revendedores não autorizados
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTL150N3LLH5
N-channel 30 V, 0.0014 Ohm typ., 35 A STripFET(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
InfineonIRF6716MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET / Trans MOSFET N-CH Si 25V 39A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Descrições
Descrições de Infineon IRF6725MTRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 30 V 2.2 mOhm 54 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
N CH MOSFET, 30V, 28A DIRECTFET MX
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 28 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
HEXFET Power MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:170A; On Resistance, Rds(on):1.7mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.7 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-40 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Elements1
On-State Resistance2.2 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation100 W
Rds On Max2.2 mΩ
Rise Time22 ns
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height506 µm
Length6.35 mm
Width5.05 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade