Vishay SI4435DDY-T1-GE3
$ 0.349
NRND
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI4435DDY-T1-GE3 | 4.533 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | SI4435DDY-T1-GE3 | 93 | 1 | |||||||||
| Verical | SI4435DDY-T1-GE3 | 155.000 | 2500 | |||||||||
| Future Electronics | SI4435DDY-T1-GE3 | 2.500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| TME | SI4435DDY-T1-GE3 | 712 | 1 | 11h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | 3D | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF7416PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
InfineonIRF7416TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
Descrições
Descrições de Vishay SI4435DDY-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Si4435DDY Series 30 V 0.024 Ohm Surface Mount P-Channel Mosfet - SOIC-8
MOSFET, P-CH, VDS -30V, VGS +/- 20V, RDS(ON) 19.5MOHM, ID -8.1A, SO-8, PD 2.5W
30V 11.4A 2.5W 24m´Î@10V9.1A 3V@250Ã×A P Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS
P CHANNEL MOSFET,-30V,-8.1A, SOIC-8; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:8.1A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V RoHS Compliant: No
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Tendência de 3 meses: -5.82%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.35 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max24 mΩ
Resistance24 MΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade