Infineon IRF6215SPBF
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-04-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Infineon IRF6215SPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.29Ohm;ID -13A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
-150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
MOSFET, P; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):290mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:-13A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:110W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating-13 A
Drain to Source Breakdown Voltage-150 V
Drain to Source Resistance290 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-150 V
Dual Supply Voltage150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance860 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Elements1
On-State Resistance290 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation110 W
Rds On Max290 mΩ
Resistance290 mΩ
Rise Time36 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)-150 V
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade