Infineon AUIRF6215S
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-08-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31
Peças relacionadas
InfineonIRF3315SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.082Ohm;ID 21A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-20V;-55
InfineonAUIRF3315S
MOSFET, N-CH, 150V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Descrições
Descrições de Infineon AUIRF6215S fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
AUIRF6215S Series 150 V 13 A Surface Mount HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-3
-150V, P-Ch, 290 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, Gen 5, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage-150 V
Drain to Source Resistance290 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-150 V
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance860 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance290 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation110 W
Rds On Max290 mΩ
Rise Time36 ns
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade