Infineon IRF540NSTRLPBF
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | IRF540NSTRLPBF | 19.200 | 800 | 17h | ||||||||
| Newark | IRF540NSTRLPBF | 4.598 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IRF540NSTRLPBF | 53.600 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Rochester Electronics | IRF540NSTRLPBF | 1.234 | 15h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF540NSTRLPBF | 22 | 1 | Bulk | 7h |
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Mount
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Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
33 A
33 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
44 mΩ
8.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.8 W
3.8 W
Input Capacitance
1.96 nF
1.96 nF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-04-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descrições
Descrições de Infineon IRF540NSTRLPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 33 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak Tape And Reel
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20
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Power MOSFET, N Channel, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:33A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:130W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF540NSTRLPBF.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 33 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 44 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 35 / Rise Time ns = 35 / Turn-OFF Delay Time ns = 39 / Turn-ON Delay Time ns = 11 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 130
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Current Rating33 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance44 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.96 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance44 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max44 mΩ
Resistance44 MΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade