Infineon IRF4905PBF
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3
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Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
-55 V
-55 V
Continuous Drain Current (ID)
74 A
74 A
Threshold Voltage
-4 V
-2 V
Rds On Max
20 mΩ
20 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
150 W
200 W
Input Capacitance
3.4 nF
3.4 nF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2012-08-25
LTD Date2013-02-25
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Infineon IRF4905PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -74A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-20V
Infineon Technologies P-channel HEXFET power MOSFET, -55 V, -74 A, TO-220, IRF4905PBF
Single P-Channel 55 V 0.02 Ohm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Transistor MOSFET P-Ch. -64A/-55V TO220 IRF 4905 PBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Through Hole
200W 20V 4V 180nC(Max) @ 10V 1P 55V 20m¦¸@ 10V 42A 3.4nF@ 25V D2PAK 9.02mm
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 74A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
P Channel Mosfet, -55V, 74A, To-220Ab; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:74A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF4905PBF.
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
MOSFET, P, -55V, -74A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-55V; Current, Id Cont:64A; Resistance, Rds On:0.02ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:260A; Lead Spacing:2.54mm; No. of Pins:3; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Power Dissipation:150W; Power, Pd:150W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:0.75°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds:55V; Voltage, Vds Max:55V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)74 A
Current Rating-74 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V
Dual Supply Voltage-55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time96 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.4 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance20 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation150 W
Rds On Max20 mΩ
Recovery Time130 ns
Rise Time99 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time61 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)-55 V
Dimensions
Height19.8 mm
Lead Pitch2.54 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade