Infineon IRF3808SPBF

Name: Infineon IRF3808SPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF3808SPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 75V; Rds(on) 5.9MILLIOHMS; Id 106A; D2PAK; Pd 200W; Vgs +/-2

$ 3.19

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF3808SPBF	0	300	Bulk				3,190	3,190	13h
Farnell	IRF3808SPBF	0	1		3,853*	3,853*	2,971*	2,130*	2,130*	7h
Win Source	WS-IRF3808SPBF	5.471	2			29,997	26,893	26,893	26,893	22h
Worldway Electronics	IRF3808SPBF	12.906	7	Tube		1,323	1,283	1,215	1,215	21h
SHENGYU ELECTRONICS	IRF3808SPBF	12.470	1		0,613	0,600	0,580	0,560	0,540	3d

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1 peça disponível

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IHS

Datasheet13 páginas12 anos atrás

Datasheet12 páginas12 anos atrás

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

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InfineonIRF3808SPBF

InfineonIRF3808STRLPBF

Price @ 1000

$ 3.19

$ 1.34

Stock

42,266

1,921,928

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

75 V

Continuous Drain Current (ID)

75 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

7 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

200 W

Input Capacitance

5.31 nF

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-12-19

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2016-11-16

LTD Date2017-05-16

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Detalhes

Descrições

Descrições de Infineon IRF3808SPBF fornecidas pelos seus distribuidores.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 5.9Milliohms;ID 106A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-2

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Win Source

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 106A I(D), 75V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:106A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:200W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Avalanche Single Pulse Energy Eas:430mJ; Capacitance Ciss Typ:5310pF; Current Id Max:106A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulse Current Idm:550A; Reverse Recovery Time trr Typ:93ns; SMD Marking:F3808; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V

element14 APAC

Imagens

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

SP001570146

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1 peça disponível

Especificações técnicas

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)75 A

Current Rating106 A

Drain to Source Breakdown Voltage75 V

Drain to Source Resistance7 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)75 V

Dual Supply Voltage75 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time120 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance5.31 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation200 W

Min Breakdown Voltage75 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance7 mΩ

Package Quantity1000

PackagingBulk

Power Dissipation200 W

Rds On Max7 mΩ

Resistance7 MΩ

Reverse Recovery Time93 ns

Rise Time140 ns

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time68 ns

Turn-On Delay Time16 ns

Voltage Rating (DC)75 V

Dimensions

Height5.084 mm

Length10.668 mm

Width9.65 mm

Fichas técnicas e documentos

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IHS

Datasheet13 páginas12 anos atrás

Datasheet12 páginas12 anos atrás

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

DigiKey

Conformidade

Classificação ambiental

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Conflict Mineral StatementN/AN/A

Reach Statement6 páginas12 anos atrás

Rohs Statement1 páginas12 anos atrás