Infineon IPP65R110CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
$ 3.06
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPP65R110CFDXKSA1400
20h
Win SourceWS-IPP65R110CFDXKSA1208
21h
Worldway ElectronicsIPP65R110CFDXKSA117.6827Tube
20h
AztechIPP65R110CFDXKSA19.828
14h
UnikeyICIPP65R110CFDXKSA14806Cut Tape
2h

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IHS

Datasheet20 páginas14 anos atrás

TME

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Peças alternativas
InfineonIPP65R110CFDXKSA1
InfineonIPP65R110CFDAAKSA1
Price @ 1000
$ 3.06
$ 3.205
Stock
38,720
228,358
Authorized Distributors
1
5
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220
TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
31.2 A
31.2 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
110 mΩ
110 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
277.8 W
277.8 W
Input Capacitance
3.24 nF
3.24 nF

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

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STMicroelectronicsSTP45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm, 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220 package
Detalhes
InfineonIPP65R095C7XKSA1
128W 20V 4V 45nC@ 10V 1N 650V 95m¦¸@ 10V 24A 2.14nF@ 400V TO-220 10mm*4.4mm*15.65mm
Detalhes
STMicroelectronicsSTP38N65M5
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh m5 Power MOSFET in TO-220 package
Detalhes
STMicroelectronicsSTP34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm, 28 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
Detalhes
InfineonIPP60R099CPXKSA1
255W(Tc) 20V 3.5V@1.2mA 80nC@ 10 V 1N 600V 99m¦¸@ 18A,10V 31A 2.8nF@100V TO-220,TO-220-3 9.45mm
Detalhes

Descrições

Descrições de Infineon IPP65R110CFDXKSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Verical
277.8W(Tc) 20V 4.5V@1.3mA 118nC@ 10 V 1N 700V 110m¦¸@ 12.7A,10V 31.2A 3.24nF@100V TO-220 4.57mm
Unikeyic (ICkey)
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
Mosfet, N-Ch, 650V, 31.2A, 277.8W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:31.2A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IPP65R110CFDXKSA1
Newark
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Infineon

Imagens

element14 APAC
TME
Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • SP000895226