Infineon IPD50N08S413ATMA1
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-PAK package, DPAK-3, RoHS
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Mosfet, N-Ch, 100V, 60A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60N10S412ATMA1
Diodes Inc.DMT6009LK3-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 57A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT6009LK3-13
Diodes Inc.DMTH6009LK3Q-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 59A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6009LK3Q-13
Descrições
Descrições de Infineon IPD50N08S413ATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3 / N-Channel 80 V 50A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 50 A, 13.2 mOhm, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
80V, N-Ch, 13.2 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested
Mosfet, N-Ch, 80V, 50A, To-252; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:80V; Continuous Drain Current Id:50A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD50N08S413ATMA1
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -4.92%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance13.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.711 nF
Max Dual Supply Voltage80 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation72 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation72 W
Rds On Max13.2 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time6.4 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height2.5 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade