Infineon IPD60N10S412ATMA1
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Peças relacionadas
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TRANSISTOR, HEXFET POWER MOSFET, N-CHANNEL, 100V , 63A, 13.9MOHM MAX, D-PAK
InfineonIPD70N10S3L12ATMA1
100V, N-Ch, 11.5 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS
Descrições
Descrições de Infineon IPD60N10S412ATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 100V, 60A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60N10S412ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3 / N-Channel 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
100V, N-Ch, 12.2 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.0122ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Summary of Features: N-channel - Normal Level - Enhancement mode; AEC qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +37.03%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance12.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.47 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation94 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation94 W
Rds On Max12.2 mΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time9 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade