Infineon IPB60R099C6ATMA1
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginGermany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-07
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)
Peças relacionadas
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Power MOSFET, N Channel, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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MOSFET, N CH, 600V, 29A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Descrições
Descrições de Infineon IPB60R099C6ATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N CH, 650V, 37.9A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:37.9A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.09ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V;
CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. The C6 devices provide all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler.600V CoolMOS™ C6 is replacement for 600V CoolMOS™ C3650V CoolMOS™ C6 is replacement for 650V CoolMOS™ C3
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)37.9 A
Drain to Source Resistance99 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation278 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance99 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation278 W
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time75 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade