Infineon IPA80R450P7XKSA1
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-07-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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Descrições
Descrições de Infineon IPA80R450P7XKSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 800V, 11A, To-220Fp; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(On):0.38Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPA80R450P7XKSA1
800V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power.This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical flyback applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK R DS(on) products. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -12.30%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation29 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance450 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation29 W
Rds On Max450 mΩ
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height19.45 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade