Infineon BSZ100N03MSGATMA1
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | BSZ100N03MSGATMA1 | 5.000 | 5K | Tape & Reel | ||||||||
| Rochester Electronics | BSZ100N03MSGATMA1 | 24.084 | 6h | |||||||||
| DigiKey | BSZ100N03MSGATMA1CT-ND | 19 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | BSZ100N03MSGATMA1 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | BSZ100N03MSGATMA1 | 0 | 5K | 2d |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-10-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
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Descrições
Descrições de Infineon BSZ100N03MSGATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
2.1W 16V 1V 8.3nC@ 4.5V,17nC@ 10V 1N 30V 9.1m¦¸@ 10V 40A 1.3nF@ 15V SON , 3.3mm*3.3mm*1.1mm
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
10 A 30 V 0.0114 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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MOSFET, N CH, 40A, 30V, PG-TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:30W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:40A; Power Dissipation Pd:30W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Resistance11.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance9.1 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation30 W
Rds On Max9.1 mΩ
Rise Time2.8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade