onsemi FDD8780
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
InfineonIPD040N03LGATMA1
N-Channel 30 V 90 A 4 mOhm Surface Mount OptiMOS Power-Transistor - PG-TO252-3
Descrições
Descrições de onsemi FDD8780 fornecidas pelos seus distribuidores.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 25V, 35A, 8.5mΩ
N-Channel 25 V 35 A 8.5 mOhm PowerTrench® MOSFET- TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 25V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 25V, 35A, TO-252AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 35A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.0065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.8V;
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on) and fast switching speed.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -14.29%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating35 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.44 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Rds On Max8.5 mΩ
Resistance8.5 MΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade