Infineon BSS209PWH6327XTSA1
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rutronik | TMOSS6429 | 18.000 | 3K | 14h | ||||||||
| DigiKey | BSS209PWH6327XTSA1CT-ND | 2.764 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | BSS209PWH6327XTSA1 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | BSS209PWH6327XTSA1 | 0 | 3K | 4d | ||||||||
| Future Electronics | BSS209PWH6327XTSA1 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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919,708
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6
1
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-323
SOT-323
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-
Continuous Drain Current (ID)
580 mA
630 mA
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
550 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
-
Power Dissipation
300 mW
-
Input Capacitance
87 pF
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-12-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
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Descrições
Descrições de Infineon BSS209PWH6327XTSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 630 mA, 0.379 ohm, SOT-323, Surface Mount
Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:630Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:900Mv; Power Dissipation:300Mw; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSS209PWH6327XTSA1.
Infineon technologies offers automotive and industrial manufacturers a broad portfolio of N and P-Channel Small Signal MOSFETs that meet and exceed the highest quality requirements in well-known industry standard packages. With unmatched levels of reliability and manufacturing capacity these components are ideally suited for a wide variety of applications including LED lighting, ADAS, body control units, SMPS and motor control.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-323
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)580 mA
Current Rating-580 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance550 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance87 pF
Max Dual Supply Voltage-20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation520 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance550 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation300 mW
Rds On Max550 mΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time6 ns
Turn-On Delay Time2.6 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade