Infineon BSC010NE2LSIATMA1

2.5KW 20V 2V 59NC 1N 25V 1.05M¦¸@ 10V 100A 4.2NF@ 12V Tdson(ep) , 5.15MM*590CM*1MM
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Peças alternativas

Price @ 1000
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Stock
2,825,886
1,882,219
Authorized Distributors
6
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
38 A
40 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
96 W
2.5 W
Input Capacitance
4.2 nF
4.7 nF

Cadeia de suprimentos

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-14
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)

Peças relacionadas

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2.5W 20V 2.2V 72nC@ 4.5V,126nC@ 10V 1N 25V 900¦Ì¦¸@ 10V 5.8nF@ 12V , 5.15mm*5.9mm*1mm
onsemiFDMS7570S
2.5W(Ta),83W(Tc) 20V 3V@1mA 69nC@ 10V 1N 25V 1.95m¦¸@ 28A,10V 28A,49A 4.515nF@13V QFN 6mm*5mm*1.1mm
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 8.5A Ta 44A Tc 44A 1.92W 19ns
Trans MOSFET N-CH 25V 33A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
onsemiFDMS7560S
N-Channel 25 V 30 A 0.00145 ohm SMT PowerTrench SyncFET Mosfet Power 56

Descrições

Descrições de Infineon BSC010NE2LSIATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

2.5KW 20V 2V 59nC 1N 25V 1.05m¦¸@ 10V 100A 4.2nF@ 12V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm
Trans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
MOSFETs; BSC010NE2LSI; INFINEON TECHNOLOGIES; 25 V; 38 A; 20 V; 96 W
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 25V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:96W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC010NE2LSIATMA1.

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • BSC010NE2LSI
  • BSC010NE2LSIATMA1.
  • BSC010NE2LSIATMA1.......
  • BSC010NE2LSIXT
  • SP000854376