Infineon BSC010NE2LSATMA1

Name: Infineon BSC010NE2LSATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC010NE2LSATMA1

Transistor, Mosfet, N-channel, 25V, 39A, 1.0 Mohm, 242A, 33 Nc, TSDSON8

$ 0.75

Production

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Preço e estoque

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	47Y7990	8.213	1		2,020	1,290	0,866	0,866	0,866	1d
Newark	2	BSC010NE2LSATMA1	8.213	1	Cut Tape	0,797	0,797	0,797	0,797	0,797
RS (Formerly Allied Electronics)		BSC010NE2LS	10	1	Bulk	0,340	0,340	0,340	0,340	0,340	13h
Arrow Electronics	3	BSC010NE2LSATMA1	30	1		0,479	0,471	0,463	0,463	0,463
Future Electronics	2	BSC010NE2LSATMA1	0	5K	Tape & Reel					0,970

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Datasheet10 páginas13 anos atrás

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InfineonBSC010NE2LSATMA1

InfineonBSC010NE2LSIATMA1

Price @ 1000

$ 0.75

$ 0.788

Stock

1,917,219

2,832,190

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

Drain to Source Voltage (Vdss)

25 V

Continuous Drain Current (ID)

40 A

38 A

Threshold Voltage

Rds On Max

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

2.5 W

96 W

Input Capacitance

4.7 nF

4.2 nF

Cadeia de suprimentos

Country of OriginAustria, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-02-24

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

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Descrições

Descrições de Infineon BSC010NE2LSATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 25V, 39A, 1.0 MOHM, 242A, 33 NC, TSDSON8

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 25V 39A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Win Source

Single N-Channel 25 V 96 W 85 nC OptiMOS Surface Mount Mosfet - TDSON-8

Future Electronics

With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).

Infineon

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:96W; No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: Yes

Newark

Imagens

RS (Formerly Allied Electronics)

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

BSC010NE2LS
BSC010NE2LSATMA1.
SP000776124

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Especificações técnicas

Physical

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Technical

Continuous Drain Current (ID)40 A

Drain to Source Breakdown Voltage25 V

Drain to Source Resistance1.3 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)25 V

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance4.7 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation96 W

Min Breakdown Voltage25 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance1 mΩ

Package Quantity5000

PackagingTape & Reel

Power Dissipation2.5 W

Rise Time6 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time34 ns

Turn-On Delay Time6.7 ns

Dimensions

Height1.1 mm

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Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSNon-Compliant

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Conflict Mineral StatementN/AN/A