Infineon AUIRFR8403TRL
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Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
100 A
100 A
Threshold Voltage
-
3 V
Rds On Max
3.1 mΩ
3.1 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
99 W
99 W
Input Capacitance
3.171 nF
3.171 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-05-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-07-31
LTD Date2026-01-31
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1.9W(Ta) 20V,16V 3V@ 250¦ÌA 44nC@ 10 V 1N 30V 4m¦¸@ 20A,10V 21A,75A 2.37nF@15V TO-252-3
Descrições
Descrições de Infineon AUIRFR8403TRL fornecidas pelos seus distribuidores.
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH Si 40V 127A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Brushed Motor Drive; Brushless Motor Drive; DC-DC; Glowplug; Relay Replacement; Window Lifter
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.171 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation99 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.1 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation99 W
Rds On Max3.1 mΩ
Rise Time32 ns
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade