onsemi FDD9407L-F085
$ 1.42
EOL
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | FDD9407L-F085 | 11.952 | 5 | Cut Tape | 9h | |||||||
| element14 APAC | FDD9407L-F085 | 11.952 | 5 | Cut Tape | 4h | |||||||
| Mouser | 512-FDD9407L_F085 | 4.831 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Component Stockers USA | FDD9407L_F085 | 691 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-FDD9407L_F085 | 7.500 | 30 | 10h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-10-13
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
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40 V 16.8 A 7.3mOhm 2.6 W N-Channel Enhancement Mode Mosfet - TO-252-3
Descrições
Descrições de onsemi FDD9407L-F085 fornecidas pelos seus distribuidores.
Logic Level PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 40 V, 100 A, 1.7 mΩ
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, TO-252; Available until stocks are exhausted Alternative available
MOSFET N-CH 40V 100A / Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Single N-Channel 40 V 1.7 mOhm 125 nC 227 W PowerTrench Mosfet - TO-252-3
N-Channel PowerTrench MOSFET / TAPE REEL
Power Field-Effect Transistor, 40V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 100A, TO-252;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.7 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation227 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation227 W
Rds On Max2.4 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time58 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade