Infineon AUIRFR2607Z

Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
FarnellAUIRFR2607Z01
13h
Component Stockers USAAUIRFR2607Z24.298
6d
Win SourceWS-AUIRFR2607Z2.0009
14h
Worldway ElectronicsAUIRFR2607Z8.1357Tube
15h
SHENGYU ELECTRONICSAUIRFR2607Z19.8581
1d

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Datasheet11 páginas10 anos atrás
Datasheet13 páginas15 anos atrás

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Peças alternativas

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Peças alternativas
InfineonAUIRFR2607Z
InfineonIRFR2607ZTRPBF
InfineonIRFR2607ZTRPBF
Price @ 1000
$ 0.701
$ 0.701
Stock
69,476
439,212
439,212
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
2 V
-
-
Rds On Max
22 mΩ
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
110 W
110 W
110 W
Input Capacitance
1.44 nF
1.44 nF
1.44 nF

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-08-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-02-28
LTD Date2018-08-31

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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.027Ohm;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Detalhes
VishaySQD40N06-14L_GE3
Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 60 V, 0.011 Ohm, 10 V, 2 V Rohs Compliant: Yes |Vishay SQD40N06-14L-GE3
Detalhes

Descrições

Descrições de Infineon AUIRFR2607Z fornecidas pelos seus distribuidores.

Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
GENERAL PURPOSE POWER FET Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET,N CH,75V,42A,DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0176ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Power Dissipation Pd:110W; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Injection; Solenoid Injection
Infineon

Imagens

Infineon
Newark
TME
Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IRFAUIRFR2607Z
  • SP001517366