Infineon IPB530N15N3GATMA1
$ 0.863
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IPB530N15N3GATMA1 | 96.798 | 19h | |||||||||
| Farnell | IPB530N15N3GATMA1 | 0 | 1 | Cut Tape | 19h | |||||||
| Verical | IPB530N15N3GATMA1 | 96.341 | 289 | |||||||||
| Win Source | WS-IPB530N15N3G | 2.950 | 7 | 20h | ||||||||
| Worldway Electronics | IPB530N15N3GATMA1 | 18.557 | 7 | Tape & Reel | 19h |
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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Fichas técnicas e documentos
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | Baixar | |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-01-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-10-15
LTD Date2023-04-15
Descrições
Descrições de Infineon IPB530N15N3GATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
The 150 V OptiMOS™ achieves a reduction in RDS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor.This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
Mosfet, N-Ch, 150V, 21A, To-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(On):0.044Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Infineon IPB530N15N3GATMA1
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Resistance53 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance667 pF
Max Dual Supply Voltage150 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation68 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance53 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation68 W
Rds On Max53 mΩ
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade