Infineon AUIRF1010EZS
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Mount
Surface Mount
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Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
2 V
-
Rds On Max
8.5 mΩ
8.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
Input Capacitance
2.81 nF
2.81 nF
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onsemiFDB14AN06LA0
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mΩ | MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
Descrições
Descrições de Infineon AUIRF1010EZS fornecidas pelos seus distribuidores.
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 60V 84A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
AUTOMOTIVE MOSFET 60V, 84A, 8.5 MOHM, 58 NC QG, D2PAK
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET,W DIODE,N CH,60V,75A,D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:84A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0068ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Voltage Vgs Max:20V
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance8.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time54 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.81 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation140 W
Rds On Max8.5 mΩ
Rise Time90 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade