Infineon IRF1010EZSTRLP
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | IRF1010EZSTRLP | 0 | 1 | Cut Tape | 17h | |||||||
| Component Stockers USA | IRF1010EZSTRLP | 321 | 7h | |||||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRF1010EZSTRLP | 2.400 | 1 | Tape & Reel | 17h | |||||||
| Win Source | WS-159370 | 20 | 35 | 17h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF1010EZSTRLP | 17.920 | 7 | Tape & Reel | 16h |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -100%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IRF1010EZSTRLP.
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Descrições
Descrições de Infineon IRF1010EZSTRLP fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 60 V 8.5 mOhm 86 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:75A; On Resistance Rds(On):0.0068Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V Rohs Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -100%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance8.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time54 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.81 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8.5 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation140 W
Rds On Max8.5 mΩ
Resistance8.5 MΩ
Rise Time90 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade