onsemi FQD2N90TF
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Stock
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1
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
900 V
Continuous Drain Current (ID)
1.7 A
1.7 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
7.2 Ω
7.2 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
500 pF
500 pF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-07-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-03-02
LTD Date2011-09-02
Peças relacionadas
InfineonIPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 / N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Descrições
Descrições de onsemi FQD2N90TF fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel QFET® MOSFET 900V, 1.7A, 7.2Ω
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:900V; Continuous Drain Current, Id:1.7A; On Resistance, Rds(on):7.2ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:5V ;RoHS Compliant: Yes
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.7 A
Current Rating1.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance7.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance500 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max7.2 Ω
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade