onsemi FCD2250N80Z
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-12-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
InfineonIPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 / N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
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MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3 N-Channel 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Descrições
Descrições de onsemi FCD2250N80Z fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 2.6 A, 2.25 Ω, DPAK
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 2.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
39W(Tc) 20V 4.5V@ 260µA 14nC@ 10 V 1individualNChannel 800V 2.25Ω@ 1.3A,10V 2.6A 585pF@100V TO-252AA SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as Audio, Laptop adapter, Lighting, ATX power and industrial power applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance2.25 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance585 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation39 W
Rds On Max2.25 Ω
Resistance2.25 Ω
Rise Time6.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height2.517 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade