Diodes Inc. ZXMN3A04KTC
$ 1.03
Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 31-ZXMN3A04KTCCT-ND | 2.340 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | ZXMN3A04KTC | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | ZXMN3A04KTC | 0 | 2500 | 22h | ||||||||
| Arrow Electronics | ZXMN3A04KTC | 0 | 2500 | |||||||||
| Win Source | WS-ZXMN3A04KTC | 36.000 | 60 | 20h |
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Single P-Channel 30 V 10.2 mOhm 59.2 nC 3.4 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Diodes Inc.DMN3024LK3-13
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 14.4 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZXMN3A04KTC fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 30 V 0.02 Ohm Power MOSFET SMT - TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 30V 18.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2.15W(Ta) 20V 1V@250mA 36.8nC@ 10V 1N 30V 20m¦¸@ 12A,10V 12A 1.89nF@15V TO-252-3 6.73mm*6.22mm*2.39mm
N-CH 30V 18A 20mOhm TO252-3 RoHSconf
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating18.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.89 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.15 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation4.3 W
Rds On Max20 mΩ
Resistance20 mΩ
Rise Time6.1 ns
Turn-Off Delay Time38.1 ns
Turn-On Delay Time5.2 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade