onsemi FDD7030BL
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-04-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-08-27
LTD Date2013-02-27
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMP3010LK3-13
Single P-Channel 30 V 10.2 mOhm 59.2 nC 3.4 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
InfineonIRLR8729TRLPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Descrições
Descrições de onsemi FDD7030BL fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
30/20V, 9.5/13mO, NCH, DPAK, 400A GOX, PTI
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) , fast switching speed and extremely low RDS(ON) in a small package.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.425 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max9.5 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time31 ns