Vishay SI7129DN-T1-GE3
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Vishay SI7129DN-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
SI7129DN-T1-GE3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11.5 A, 30 V, 8-PIN POWERPAK 1212
P-Channel 30 V 0.0114 O 71 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
MOSFET, P-CH, -30V, -35A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-35A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0095ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage V
Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:35A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.8V; Power Dissipation:52.1W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Vishay SI7129DN-T1-GE3.
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -1.91%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance11.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.345 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52.1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max11.4 mΩ
Resistance11.4 mΩ
Rise Time43 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.05 mm
Width3.05 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade