Diodes Inc. DMN3042L-7
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Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN3042L-7 | 15.000 | 3K | 1d | ||||||||
| Newark | DMN3042L-7 | 3 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMN3042L-7 | 6.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| TME | DMN3042L-7 | 1.688 | 1 | 18h | ||||||||
| DigiKey | DMN3042L-7DICT-ND | 3 | 1 | Cut Tape |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-01-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 27ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
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Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN3042L-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SOT23 VDS=30V ID=5.8mA VGS=±12V
Single N-Channel 30 V 1.4 W 20 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Mosfet, N-Ch, 30V, 5.8A, Sot23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(On):0.021Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.4V; Power Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3042L-7
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -29.05%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.8 A
Drain to Source Resistance26.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance860 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation720 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max26.5 mΩ
Schedule B8541290080
Fichas técnicas e documentos
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