Vishay SI2369DS-T1-GE3
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 70AC6498 | 299 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | SI2369DS-T1-GE3 | 160 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI2369DS-T1-GE3 | 4 | 1 | 19h | ||||||||
| TTI | SI2369DS-T1-GE3 | 0 | 6K | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Future Electronics | SI2369DS-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRLML0030TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 27ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
InfineonIRLML6344TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 29ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
InfineonIRLML2030TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Descrições
Descrições de Vishay SI2369DS-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel 30 V 0.04 Ohm 17 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Surface Mount
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET, P CH, -30V, -7.6A, SOT-23-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -7.6A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Tendência de 3 meses: -99.94%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance29 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.295 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation1.25 W
Rds On Max29 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.2 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade