Diodes Inc. DMG3404L-7
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMG3404L-7 | 30 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMG3404L-7DICT-ND | 207 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMG3404L-7 | 66 | 1 | 12h | ||||||||
| Avnet | DMG3404L-7 | 0 | 3K | 22h | ||||||||
| Future Electronics | DMG3404L-7 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMG3404L-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 30 V 0.78 W 13.2 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Mosfet, N-Ch, 30V, 4.2A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG3404L-7
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
30V 4.2A 25mΩ@10V,5.8A 780mW 2V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
780mW(Ta) 20V 2V@ 250¦ÌA 13.2nC@ 10 V 1N 30V 25m¦¸@ 5.8A,10V 4.2A 641pF@15V SOT-23-3 2.9mm*1.3mm*1.03mm
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -68.42%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance641 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation780 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation780 mW
Rds On Max25 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time3.3 ns
Dimensions
Height1.1 mm
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