Diodes Inc. BSS123TA
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6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
170 mA
170 mA
170 mA
Threshold Voltage
1.4 V
1.7 V
1.7 V
Rds On Max
6 Ω
6 Ω
6 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
360 mW
360 mW
360 mW
Input Capacitance
20 pF
73 pF
73 pF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Peças relacionadas
onsemiBSS123LT1G
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 6ohm; 225mW; -55+150 deg.C; SMD; SOT23; AEC-Q100
Diodes Inc.BSS123-7-F
N-Channel 100 V 6 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Transistor SOT-23-3
InfineonBSS123NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 190 mA, 6 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
InfineonBSS119NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 190 mA, 2.406 ohm, SOT-23, Surface Mount
InfineonBSS169H6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 170 mA, 2.9 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Descrições
Descrições de Diodes Inc. BSS123TA fornecidas pelos seus distribuidores.
BSS123 Series 100 V 6 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET,N CH,100V,0.17A,SOT23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:170mA; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:300mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:170mA; Power Dissipation Pd:300mW; Voltage Vgs Max:20V
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)170 mA
Current Rating170 mA
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance20 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation360 mW
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation360 mW
Rds On Max6 Ω
Resistance6 Ω
Rise Time10 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1.4 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade