Diodes Inc. BSS123-7-F
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BSS123-7-F | 135.000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | BSS123-7-F | 332 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | BSS123-7-F | 27 | 27 | |||||||||
| Future Electronics | BSS123-7-F | 2.268.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | BSS123-FDICT-ND | 83.602 | 1 | Cut Tape |
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
170 mA
170 mA
170 mA
Threshold Voltage
1.4 V
800 mV
800 mV
Rds On Max
6 Ω
6 Ω
6 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
300 mW
225 mW
225 mW
Input Capacitance
60 pF
20 pF
20 pF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-11-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
onsemiBSS123LT1G
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 6ohm; 225mW; -55+150 deg.C; SMD; SOT23; AEC-Q100
Diodes Inc.BSS138-7-F
N-Channel 50 V 3.5 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Transistor SOT-23-3
InfineonBSS123NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 190 mA, 6 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Descrições
Descrições de Diodes Inc. BSS123-7-F fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 100 V 6 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Transistor SOT-23-3
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 0.2 W
Mosfet, N Channel, 100V, 170Ma, Sot-23; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:170Ma; Tensión Drenaje-Fuente Vds:100V; Resistencia De Activación Rds(On):6Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Diodes Inc. BSS123-7-F
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)170 mA
Current15 A
Current Rating170 mA
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance60 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation300 mW
Rds On Max6 Ω
Resistance6 Ω
Rise Time8 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1.4 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage100 V
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade