Diodes Inc. BC857B-7-F
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BC857B-7-F | 45.000 | 3K | 3d | ||||||||
| Newark | BC857B-7-F | 40 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | BC857B-7FDICT-ND | 215.332 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | BC857B-7-F | 70 | 1 | 15h | ||||||||
| Future Electronics | BC857B-7-F | 0 | 3K | Tape & Reel |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Stock
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12,634,303
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-45 V
-
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
200 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-250 mV
-650 mV
-650 mV
hFE Min
220
220
220
Power Dissipation
310 mW
300 mW
300 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-10-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrições
Descrições de Diodes Inc. BC857B-7-F fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Bipolar junction transistor, PNP, -100 mA, -45 V, SMD, SOT-23, BC857B-7-F
Bipolar Transistors (BJT); BC857B-7-F; DIODES; PNP; 3; -45 V; -100 mA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-45 V
Collector Emitter Saturation Voltage-250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency200 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation310 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.05 mm
Width1.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade