Diodes Inc. BC847AW-7-F
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Production
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | BC847AW-7-F | 43 | 43 | |||||||||
| DigiKey | BC847AW-7FDICT-ND | 1.029 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | BC847AW-7-F | 0 | 1 | 7h | ||||||||
| Avnet | BC847AW-7-F | 0 | 3K | 11h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | BC847AW-7-F | 0 | 250 | Bulk | 21h |
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Stock
805,752
1,342,741
1,342,741
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-323
SC
SC
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
300 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
110
110
110
Power Dissipation
200 mW
150 mW
150 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-10-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.BC847CW-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Surface Mount
ROHMDTC144TUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiFJX3007RTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiFJX3001RTF
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
onsemiFJX3003RTF
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Descrições
Descrições de Diodes Inc. BC847AW-7-F fornecidas pelos seus distribuidores.
BC847AW Series 45V 100mA 200mW Single NPN Bipolar Transistor SOT-323-3
NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT323 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-323
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min110
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade