Vishay SIHB12N50E-GE3

Name: Vishay SIHB12N50E-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIHB12N50E-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

$ 1.121

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Distributor	SKU		Min	Pkg
TTI	SIHB12N50E-GE3	0	1K	Tube				1.100	1.100	6h
Newark	SIHB12N50E-GE3	0	1	Cut Tape	2.740	2.350	1.830	1.650	1.650
Avnet	SIHB12N50E-GE3	0	1K					1.027	0.929	6h
TTI Asia	SIHB12N50E-GE3	문의하기					1.370	1.370	1.370	7h
TTI Europe	SIHB12N50E-GE3	0	1K	Tube				1.089*	1.089*	7h

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Farnell

Datasheet9 페이지10년 전

Datasheet7 페이지11년 전

Newark

Future Electronics

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-3.74%

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2015-01-19

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SIHB12N50E-GE3에 대한 설명입니다.

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Verical

Single N-Channel 500 V 0.38 Ohm 50 nC 114 W Silicon Mosfet - TO-263-3

Future Electronics

114W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 50nC@ 10 V 1N 500V 380m¦¸@ 6A,10V 10.5A 886pF@100V TO-263-3

UnikeyIC

VISHAY SIHB12N50E-GE3 MOSFET, N CHANNEL, 500V, 10.5A, TO-263-3

Fly-Wing Technology

Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N CHANNEL, 500V, 10.5A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10.5A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.33ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 114W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: E Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited

Farnell