Vishay SIHB12N65E-GE3

Name: Vishay SIHB12N65E-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIHB12N65E-GE3

E Series N-Channel 650 V 380 mO 35 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK

$ 1.41

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey		SIHB12N65E-GE3-ND	3,316	1	Tube	3.870	3.870	1.770	1.340	1.184
TME	2	SIHB12N65E-GE3	0	1		3.560	2.400	1.700	1.700	1.700	6h
TTI		SIHB12N65E-GE3	0	1K	Tube				1.330	1.330	11h
Newark		SIHB12N65E-GE3	0	1		3.730	1.880	1.710	1.410	1.410
Future Electronics		SIHB12N65E-GE3	0	50	Tube			1.820	1.770	1.730

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-06-25

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SIHB12N65E-GE3에 대한 설명입니다.

E Series N-Channel 650 V 380 mO 35 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Verical

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N CH, 650V, 12A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.33ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: -; Powe

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