Vishay SI9435BDY-T1-E3

Name: Vishay SI9435BDY-T1-E3
Brand: Vishay
SKU: SI9435BDY-T1-E3

Transistor Mosfet P-ch 30V 4.1A 8-PIN SOIC N T/r

$ 0.897

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff		ST20598456	1,263	1		1.462	1.355	0.762	0.703	0.700	13h
Avnet		SI9435BDY-T1-E3	2,500	2500							20h
Arrow Electronics	2	SI9435BDY-T1-E3	16	1		0.511	0.374	0.374	0.374	0.374
TTI	2	SI9435BDY-T1-E3.	2,070	10	Cut Tape		1.170	1.170	1.170	1.170	20h
Newark		SI9435BDY-T1-E3	0	1	Tape & Reel	1.760	1.090	1.090	1.090	1.090

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element14 APAC

Farnell

Future Electronics

TME

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VishaySI9435BDY-T1-E3

VishaySI9435BDY-T1-GE3

Price @ 1000

$ 0.897

$ 0.493

Stock

318,325

94,970

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOIC

Drain to Source Voltage (Vdss)

-30 V

Continuous Drain Current (ID)

4.1 A

Threshold Voltage

-1 V

-3 V

Rds On Max

42 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

1.3 W

Input Capacitance

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-06-16

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2024-11-30

LTD Date2025-08-13

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SI9435BDY-T1-E3에 대한 설명입니다.

Transistor MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R

North Star Micro

Single P-Channel 30 V 0.042 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

MOSFET Devices; VISHAY; SI9435BDY-T1-E3; -30 V; 4.1 A; 20 V; 1.3 W

Maritex

P-CH MOSFET SO-8 30V 42MOHM @ 10V<AZ

Jameco

Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 30V, 0.042ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

P-Channel MOSFETs 30V 5.7A 0.042Ohm

Mouser

场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 2.5W;

element14 APAC

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-30V; Continuous Drain Current, Id:-5.7A; On Resistance, Rds(on):42mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:SO-8 ;RoHS Compliant: Yes

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