Vishay SI2308BDS-T1-GE3

Name: Vishay SI2308BDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI2308BDS-T1-GE3

VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - MOSFET Transistor, N Channel, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 20 V, 3 V

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Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SI2308BDS-T1-GE3	13,943	1	Cut Tape	0.899	0.899	0.437	0.310	0.310
Arrow Electronics		SI2308BDS-T1-GE3	35,099	1		0.822	0.510	0.373	0.245	0.197
Verical		SI2308BDS-T1-GE3	14,099	33				0.373	0.245	0.197
CoreStaff		ST63699850	3,000	1		0.382	0.382	0.296	0.240	0.235	12h
RS (Formerly Allied Electronics)		SI2308BDS-T1-GE3	0	3K	Bulk					0.450	12h

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VishaySI2308BDS-T1-GE3

VishaySI2308BDS-T1-E3

Price @ 1000

$ 0.245

$ 0.247

Stock

1,663,476

583,310

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

1.9 A

Threshold Voltage

3 V

1 V

Rds On Max

156 mΩ

54 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

1.09 W

Input Capacitance

190 pF

공급망

Country of OriginIsrael

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2008-03-13

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-01-21

LTD Date2025-07-21

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SI2308BDS-T1-GE3에 대한 설명입니다.

VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - MOSFET Transistor, N Channel, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 20 V, 3 V

Fly-Wing Technology

SI2308BDS Series N-Channel 60 V 0.156 Ohm Power MosFet Surface Mount - SOT-23

Future Electronics

MOSFET, N-CH, VDS 60V, VGS +/- 20V, RDS(ON) 192MOHM, ID 2.3A, SOT-23, PD 1.66W

RS (Formerly Allied Electronics)

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

ComSIT Distribution GmbH

TRANSISTOR 1900 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

Augswan

MOSFET,N CH,60V,2.3A,SOT23-3; Transistor Polarity:N Channel; Max Current Id:1.9A; Max Voltage Vds:60V; On State Resistance:130mohm; Rds Measurement Voltage:10V; Max Voltage Vgs:20V; Power Dissipation:1.09W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3

Farnell