Vishay SI2308BDS-T1-E3

Name: Vishay SI2308BDS-T1-E3
Brand: Vishay
SKU: SI2308BDS-T1-E3

Single N-Channel 60 V 156 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3

$ 0.247

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SI2308BDS-T1-E3	26,595	1	Cut Tape	0.783	0.783	0.320	0.265	0.265
Arrow Electronics		SI2308BDS-T1-E3	876	1		0.733	0.448	0.303	0.259	0.259
Verical		SI2308BDS-T1-E3	846	47				0.303	0.222	0.215
TME	2	SI2308BDS-T1-E3	7	1		0.630	0.630	0.345	0.234	0.178	18h
RS (Formerly Allied Electronics)		SI2308BDS-T1-E3	0	3K	Bulk					0.450	13h

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VishaySI2308BDS-T1-E3

VishaySI2308BDS-T1-GE3

Price @ 1000

$ 0.247

$ 0.245

Stock

583,060

1,663,471

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

1.9 A

Threshold Voltage

1 V

3 V

Rds On Max

54 mΩ

156 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

1.09 W

Input Capacitance

190 pF

공급망

Country of OriginIsrael

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-03-13

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-01-21

LTD Date2025-07-21

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SI2308BDS-T1-E3에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 60 V 156 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Win Source

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

Semicontronic

MOSFET, N CH, 60V, 0.13OHM, 2.3A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.3A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.66W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; MSL:-

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