Vishay IRF9Z14SPBF

Name: Vishay IRF9Z14SPBF
Brand: Vishay
SKU: IRF9Z14SPBF

Single P-Channel 60 V 0.5 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3

$ 0.62

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IRF9Z14SPBF	820	1		0.441	0.441	0.426	0.419	0.419
Verical		IRF9Z14SPBF	816	17				0.426	0.400	0.388
DigiKey		IRF9Z14SPBF-ND	403	1	Tube	2.670	2.670	1.174	0.867	0.711
TME	2	IRF9Z14SPBF	0	1		2.333*	2.333*	1.191*	0.857*	0.618*	17h
TTI		IRF9Z14SPBF	0	1K	Tube				0.588	0.588	6h

재고 내역

3개월 추세: -0.32%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

1개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Vishay IRF9Z14SPBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet10 페이지4년 전

_legacy Avnet

Future Electronics

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-0.32%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Vishay IRF9Z14SPBF 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

대체 부품

이 부품

대체 부품

VishayIRF9Z14SPBF

VishayIRF9Z14STRLPBF

Price @ 1000

$ 0.62

$ 0.717

Stock

123,204

27,595

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount, Through Hole

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

-60 V

Continuous Drain Current (ID)

6.7 A

Threshold Voltage

Rds On Max

500 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

3.7 W

Input Capacitance

270 pF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1994-05-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay IRF9Z14SPBF에 대한 설명입니다.

Single P-Channel 60 V 0.5 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3

Future Electronics

MOSFET, POWER, P-CH, VDSS -60V, RDS(ON) 0.5OHM, ID -6.7A, TO-220AB, PD 43W, VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Verical

Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Rebound Electronics

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-60V; Continuous Drain Current, Id:-6.7A; On Resistance, Rds(on):500mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, P, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:6.7A; On Resistance Rds(on):500mohm; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:43W; Transistor Case Style:D2-PAK; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Temperature:25°C; External Depth:15.49mm; External Length / Height:4.69mm; External Width:10.54mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:175°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:43W; Power Dissipation Pd:43W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W; Pulse Current Idm:27A; SMD Marking:F9Z14S; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC