Vishay IRF610PBF

Name: Vishay IRF610PBF
Brand: Vishay
SKU: IRF610PBF

Single N-Channel 200 V 1.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

$ 0.371

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Distributor		SKU		Min
Avnet	2	63J7327	943	1K				0.831	0.831	1d
Newark	3	IRF610PBF.	5,513	1	1.100	1.020	0.868	0.800	0.783
Arrow Electronics	2	IRF610PBF	4,508	1	0.558	0.558	0.547	0.398	0.391
Verical	2	IRF610PBF	100	24			0.371	0.316	0.282
CoreStaff		ST63699819	1,000	1	1.211	1.211	0.805	0.749	0.744	1h

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IHS

Datasheet7 페이지2년 전

Datasheet9 페이지14년 전

Upverter

Newark

element14 APAC

Future Electronics

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1990-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay IRF610PBF에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 200 V 1.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Through Hole

Avnet

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | Siliconix / Vishay IRF610PBF

RS (Formerly Allied Electronics)

200V 3.3A 1.5´Î@10V2A 36W 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS

Dasenic

Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

MOSFET, N, 200V, 3.3A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.3A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:36W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; Current Id Max:3.3A; Junction to Case Thermal Resistance A:3.5°C/W; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:36W; Power Dissipation Pd:36W; Pulse Current Idm:10A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC