onsemi MMBT2222ATT1G

Name: onsemi MMBT2222ATT1G
Brand: onsemi
SKU: MMBT2222ATT1G

Bipolar Transistors (BJT); MMBT2222ATT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 40 V; 600 mA; 3

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	5	MMBT2222ATT1G	1,539,000	3K	Tape & Reel					0.018
Avnet	3	10N9479	10,994	1		0.037	0.037	0.037	0.037	0.037	20h
Newark	4	MMBT2222ATT1G	10,994	1	Cut Tape	0.013	0.013	0.013	0.013	0.013
Master Electronics		MMBT2222ATT1G	57,000	3K						0.017
Onlinecomponents.com		MMBT2222ATT1G	57,000	3K	Bulk					0.017

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IHS

Datasheet7 페이지7년 전

Upverter

onsemi

element14 APAC

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onsemiMMBT2222ATT1G

onsemiMMBT2222ALT1G

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$ 0.037

$ 0.036

Stock

9,985,394

112,907,117

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-416

SOT-23

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

40 V

Max Collector Current

600 mA

Transition Frequency

300 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1 V

300 mV

hFE Min

Power Dissipation

150 mW

225 mW

공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-03-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi MMBT2222ATT1G에 대한 설명입니다.

Bipolar Transistors (BJT); MMBT2222ATT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 40 V; 600 mA; 3

Maritex

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416, Surface Mount

Avnet

ON Semi MMBT2222ATT1G NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 40 V; 3-Pin SOT-416

Epart123

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Semicontronic

40V 150mW 100@150mA,10V 600mA NPN SOT-523(SC-75) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

MMBT Series 40 V 600 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SC-75

Future Electronics

NPN Bipolar Junction Transistor

onsemi

1V@ 50mA,500mA NPN 150mW 6V 10nA 75V 40V 600mA SC-75,SOT-416 1.6mm*800¦Ìm*800¦Ìm

UnikeyIC

General Purpose Transistors NPN Silicon Ic=600mA Vceo=40V P=150mW SOT416

HQonline

TRANSISTOR, NPN, 40V, 600MA, SOT-416-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 600mA; DC Current Gain hFE: 35hFE;

Farnell

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-416/SC-75 package which is designed for low power surface mount applications.

North Star Micro

BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:40V; Continuous Collector Current:600mA; Power Dissipation:150mW; Transistor Mounting:Surface Mount; No. of Pins:3Pins; Product Range:- RoHS Compliant: Yes

Newark