onsemi HUF75645S3ST

Name: onsemi HUF75645S3ST
Brand: onsemi
SKU: HUF75645S3ST

N-Channel UltraFET Power MOSFET 100V, 75A, 14mΩ

$ 1.553

EOL

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	4	HUF75645S3ST	517	207					1.625	1.525
Arrow Electronics		HUF75645S3ST	128	1		3.871	3.871	3.871	3.871	3.871
Rochester Electronics		HUF75645S3ST	1,718					1.450	1.300	1.220	10h
DigiKey	3	HUF75645S3STCT-ND	8,210	1	Cut Tape	4.080	2.689	1.896	1.896	1.896
Farnell	2	HUF75645S3ST	317	1	Cut Tape	4.264*	2.806*	1.989*	1.989*	1.989*	9h

재고 내역

3개월 추세: -12.64%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

1개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

onsemi HUF75645S3ST에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet11 페이지4년 전

Datasheet10 페이지24년 전

Upverter

Future Electronics

Fairchild Semiconductor

element14 APAC

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-12.64%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 onsemi HUF75645S3ST 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

대체 부품

이 부품

대체 부품

onsemiHUF75645S3ST

onsemiHUF75645S3ST_NL

Price @ 1000

$ 1.553

$ 3.623

Stock

240,940

8,477

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

75 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

14 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

310 W

Input Capacitance

3.79 nF

공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1999-10-27

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)

LTB Date2023-09-30

LTD Date2024-03-30

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi HUF75645S3ST에 대한 설명입니다.

N-Channel UltraFET Power MOSFET 100V, 75A, 14mΩ

onsemi

N-Channel 100 V 0.014 Ohm UltraFET Power Mosfet - TO-263AB

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:75mA; On Resistance, Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes

Newark