onsemi FDB075N15A

Name: onsemi FDB075N15A
Brand: onsemi
SKU: FDB075N15A

Power MOSFET, N Channel, 150 V, 130 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

$ 2.847

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	FDB075N15A	800	800					2.834	2.699	20h
Newark	3	FDB075N15A	858	1	Cut Tape	7.270	5.200	4.030	4.030	4.030
Verical	4	FDB075N15A	13,888	115					2.938	2.763
Arrow Electronics		FDB075N15A	6	1		2.861	2.861	2.861	2.861	2.861
Master Electronics		FDB075N15A	1,500	10			4.860	3.360	2.560	2.530

재고 내역

3개월 추세: +3.81%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

1개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

onsemi FDB075N15A에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Future Electronics

Datasheet12 페이지4년 전

Datasheet10 페이지12년 전

Datasheet1 페이지6년 전

Master Electronics

IHS

Upverter

onsemi

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+3.81%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 onsemi FDB075N15A 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

대체 부품

이 부품

대체 부품

onsemiFDB075N15A

onsemiFDB075N15A-F085

Price @ 1000

$ 2.847

$ 2.363

Stock

618,732

570,373

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

TO-263-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

150 V

Continuous Drain Current (ID)

120 A

110 A

Threshold Voltage

Rds On Max

7.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

333 W

Input Capacitance

7.35 nF

5.595 nF

공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-05-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi FDB075N15A에 대한 설명입니다.

Power MOSFET, N Channel, 150 V, 130 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Avnet Silica

N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 130A, 7.5mΩ

onsemi

MOSFET-N-Channel, POWERTRENCH Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N-CH, 150V, 130A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:130A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.00625ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V

element14 APAC

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.

Fairchild Semiconductor