onsemi BSS123

Name: onsemi BSS123
Brand: onsemi
SKU: BSS123

Transistor MOSFET Negative Channel 100 Volt 0.17A 3-Pin SOT-23

$ 0.089

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	3	BSS123	6,099,000	3K	Tape & Reel					0.029
Avnet	4	BSS123	432,000	3K						0.024	3d
Newark	2	BSS123	26,570	1	Cut Tape	0.338	0.338	0.140	0.098	0.098
Arrow Electronics	3	BSS123	7,351	1		0.336	0.174	0.119	0.080	0.040
Verical	3	BSS123	1,893,000	3K						0.021

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onsemi

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onsemiBSS123

onsemiBSS123LT1G

Price @ 1000

$ 0.089

$ 0.075

Stock

42,016,005

83,660,786

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

170 mA

Threshold Voltage

1.7 V

800 mV

Rds On Max

6 Ω

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

360 mW

225 mW

Input Capacitance

73 pF

20 pF

공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1994-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi BSS123에 대한 설명입니다.

Transistor MOSFET Negative Channel 100 Volt 0.17A 3-Pin SOT-23

Jameco

N-Channel MOSFET, Logic Level Enhancement Mode, 100V, 170 mA, 6Ω

onsemi

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Surface Mount

EBV Elektronik

N-CHANNEL TRENCHMOS TRANSISTOR LOGIC LEVEL FET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

This N-Channel enhancement mode field effect transistors is produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This product has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable, and fast switching performance.The BSS123 is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.

Fairchild Semiconductor

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 170 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 10 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 5 / Rise Time ns = 18 / Turn-OFF Delay Time ns = 31 / Turn-ON Delay Time ns = 3.4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) mW = 360

Distrelec

MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:170mA; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.7V; Power Dissipation Pd:360mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:170mA; Current Temperature:25°C; Device Marking:BSS123; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:360mW; Power Dissipation Pd:360mW; Pulse Current Idm:680mA; SMD Marking:SA; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:1.7V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2V

element14 APAC