Infineon IRLS4030-7PPBF

Name: Infineon IRLS4030-7PPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLS4030-7PPBF

Single N-Channel 100 V 3.9 mOhm 93 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7

$ 9.05

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRLS4030-7PPBF	0	1	Bulk	10.050	9.050	9.050	9.050	9.050	22h
Farnell	IRLS4030-7PPBF	0	1		7.726*	5.314*	4.224*	3.774*	3.774*	6h
Win Source	WS-IRLS4030-7PPBF	20	5			12.140	8.093	8.093	8.093	7h
Worldway Electronics	IRLS4030-7PPBF	9,483	7	Tube		1.429	1.386	1.313	1.313	6h
Lixinc	IRLS4030-7PPBF	16,063			2.190	1.956	1.956	1.956	1.956	2d

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IHS

Datasheet10 페이지17년 전

Datasheet9 페이지17년 전

iiiC

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InfineonIRLS4030-7PPBF

InfineonIRLS4030TRL7PP

Price @ 1000

$ 9.05

$ 3.385

Stock

52,002

140,890

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

190 A

Threshold Voltage

2.5 V

Rds On Max

3.9 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Power Dissipation

370 W

Input Capacitance

11.49 nF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-02-12

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRLS4030-7PPBF에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 100 V 3.9 mOhm 93 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package, D2PAK7P, RoHS

Infineon SCT

Trans Mosfet N-Ch 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2Pak Tube Rohs Compliant: Yes

Newark

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Superior R*Q at 4.5V VGS; Logic Level; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: Battery Operated Drive

Infineon

MOSFET, N-CH 100V 190A D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):3.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:370W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:190A; Package / Case:D2-PAK-7; Power Dissipation Pd:370W; Power Dissipation Pd:370W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V

element14 APAC